Data şi locul nasterii: 13 aprilie 1943, Cluj
Starea civilă: căsătorit, 1966
Soţia: Ana Morar n. Chira
Copii: Radu-Onisie, n. 1967, Inginer M.B.A., căsătorit, 1 copil, stabilit în S.U.A.;
Anette-Anca, n. 1969, Inginer Ph.D. Chimie, 2 copii, stabilită în Germania;
Dan-Gheorghe, n. 1973, Inginer
Nicolae-Constantin, n. 1979, Ph. D. Filosofie, Asistent Profesor, căsătorit, stabilit în S.U.A.

Studii:

• 1956, Şcoala Generală com. Borşa
• 1956-1958, Şcoala Medie „Petru Maior” Gherla
• 1958-1960, Şcoala Medie „George Coşbuc” Cluj
• 1960-1965, Institutul Politehnic Cluj, Facultatea de Electromecanică (cu media 9,66, la examenul de stat cu media 10)
  Specializare: inginer electromecanic

Activitate profesională:

• 1965-1966, inginer (prin repartiţie), Uzina Tehnofrig, şef de schimb, secţia a IV-a
• 1966-1968, inginer cercetător , Universitatea „Babeş-Bolyai” Cluj, în cadrul laboratorului de cercetare „Corp solid”, în domeniul aparaturii electronice necesare studierii structurii solidului, perioadă în care s-a realizat un termostat cu performanţe ridicate pentru măsurarea efectului Hall.
• 1968-1975, inginer la Institutul de Calcul al Academiei (ICTP);
• 1975-1978, inginer la Institutul pentru Tehnică de Calcul (ITC)
• 1978-1985, inginer cercetător ştiinţific principal III, ITC
• 1985-1993, inginer cercetător principal II, ITC

Activitate managerială

• 1975, şef al colectivului de implantare ionică, Institutul de Calcul al Academiei
• 1975-1990?, şef al colectivului de implantare ionică, Institutul pentru Tehnică de Calcul

Realizări

Contribuţii la realizarea unei tehnologii moderne pentru realizarea structurilor semiconductoare de circuit şi alte materiale.

• a studiat probleme de electronica solidului în general, şi, în special, aplicaţiile fascicolelor de ioni şi electroni în fizica semiconductorilor pentru realizarea de structuri prin implantare ionică.
• în acest sens, a obţinut rezultate personale în domeniul „difuziei din surse obţinute prin implantarea ionică”, precum şi referitor la „capacitatea unei bariere SCHOTTKY implantate”.
• a pregătit material pentru elaborarea unei monografii referitoare la implantarea ionică.
• A contribuit la realizarea aparaturii necesare studiului implantării ionice în semiconductori, având o contribuţie hotărâtoare la realizarea contractelor încheiate cu beneficiarii externi.

S-au realizat astfel câteva premiere naţionale:

1. 1973? – prima instalaţie de implantare ionică din ţară, realizată la Institutul de Calcul, cu caracteristici incipiente;
2. 1975 – tun cu fascicol de electroni cu deviere electrostatică pentru evaporare în vid;
3. 1976 – prima instalaţie de implantare ionică din ţară, care la data respectivă era comparabilă cu cele realizate pe plan mondial;
4. 1978 – prima tehnologie prin implantare ionică în ţară, dioda Varicap, omologată în colaborarea cu Intreprinderea de Piese Radio şi Semiconductori (IPRS) Băneasa;
5. 1979 – primii detectori de radiaţii cu semiconductori prin implantare ionică, în colaborare cu Institutul Naţional pentru Fizică şi Inginerie Măgurele;
6. 1980 – realizarea de ţinte izotopic pure de Zn, Ca, Mg, prin metoda separării magnetice;
7. 1984 – tun cu fascicol de electroni cu deviere electromagnetică de 270 grade şi puterea de 10 KW.